【山西招商】山西重点芯片项目突破关键技术 深紫外LED产业化提速
所属地区:山西
发布日期:2025年07月07日
山西省通过强化招商引资和科技创新协同,成功引进并培育重点芯片项目,近日取得阶段性进展。2023年,由山西中科潞安紫外光电科技有限公司联合中科院半导体所、中科潞安半导体技术研究院共同承担的“氮化镓基高效深紫外LED芯片技术”项目,在技术创新和应用转化上实现突破,为区域半导体产业发展注入新动能。
(一)技术创新攻克多项核心瓶颈。该项目聚焦深紫外LED芯片产业发展需求,围绕高质量AlN模板材料制备、AlGaN材料大失配异质外延缺陷与应力调控、高效量子结构设计与外延等关键技术方向开展系统攻关。通过优化外延生长工艺参数,研发团队有效解决了异质外延过程中的晶体质量控制难题,提升了材料的稳定性和均匀性。同时,在高光效深紫外LED芯片制备及先进封装技术方面取得创新,突破了光提取效率提升的技术瓶颈,为器件性能优化奠定了基础。
(二)产业化应用迈出实质性步伐。经过持续技术攻关,项目已成功制备出大功率深紫外LED芯片及模组,相关产品性能达到预期指标。目前,大功率深紫外LED芯片已进入小批量生产阶段,随着生产规模的逐步扩大,芯片成本有望进一步降低。在此基础上开发的深紫外LED模组,在可靠性和使用寿命方面实现提升,为拓展在杀菌消毒、医疗健康、工业固化等领域的应用提供了产品支撑。项目的推进将加速深紫外LED产业链在山西的布局,带动上下游材料、设备、封装等配套产业发展。
(三)政策支持构建良好创新生态。该项目的实施得到山西省关键核心技术和共性技术研发攻关专项的重点支持。山西聚焦半导体等战略性新兴产业,通过设立专项研发资金、搭建产学研协同创新平台、优化产业发展环境等举措,吸引高端创新资源和产业项目落地。此次项目取得的阶段性进展,是山西深化产学研合作、推动科技创新与产业深度融合的具体体现,也为当地培育新的经济增长点、实现产业转型升级提供了有力支撑。